ITER 类壁对 JET 中 runaway 电子产生的影响
等离子体物理
2015-06-16 v1
摘要
本文通过对比使用不同壁材料进行的类似慢速氩注入 JET 破裂实验，研究了 ITER 类壁 (ILW) 对 runaway 电子 (RE) 产生的影响。在碳壁情况下，观察到了 runaway 电子平台，而在 ITER 类壁情况下，电流淬灭较慢且 runaway 电流可忽略不计。本文旨在通过详细的数值模拟阐明造成这些差异的原因，研究哪些因素影响了 RE 的形成。通过考虑杂质注入的一维电场、温度和 runaway 电流模型计算破裂后电流分布。对各种杂质含量进行了扫描，并在合理的氩和壁杂质含量下获得了与实验情景一致的结果。我们的模拟表明，RE 动力学变化的原因是等离子体参数分布差异、铍和碳的辐射特性以及注入氩量的差异共同作用的复杂结果。这些因素共同导致碳壁情况下的 Dreicer 产生率显著更高，且不易被 RE 损失机制抑制。结果表明，当氩含量高于约 50% 时，差异大大减小，这表明在未来 JET 和 ITER 的大质量气体注入实验中预计会出现显著的 RE 电流。
引用
@article{arxiv.1308.2616,
title = {The effect of ITER-like wall on runaway electron generation in JET},
author = {G. Papp and T. Fülöp and T. Fehér and P. C. de Vries and V. Riccardo and C. Reux and M. Lehnen and V. Kiptily and V. V. Plyusnin and B. Alper and JET EFDA contributors},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2616},
year = {2015}
}