YBa2Cu3O7-d 低角度单晶界临界电流
超导电性
2007-05-23 v2
摘要
对 5 度 [001] 倾斜薄膜 YBa2Cu3O7-δ 单颗粒界进行了运输临界电流测量，磁场在薄膜平面内旋转，角度为 phi。临界电流随磁场与晶界平面之间夹角的变化进行了详细测定。在应用场大于 1 T 时，仅当磁场位于晶界附近的 phi_k 角范围内时，临界电流 j_c 才会显著抑制。超过该角度范围后，人工晶界的行为完全由晶粒本身的临界电流主导。我们表明，在抑制区域内 j_c 的 phi 依赖性可由通量切割模型良好描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302430,
title = {The critical current of YBa2Cu3O7-d Low Angle Grain Boundaries},
author = {J. H. Durrell and M. J. Hogg and F. Kahlmann and Z. H. Barber and M. G. Blamire and J. E. Evetts},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302430},
year = {2007}
}
备注
To be published in PRL, new version with minor changes following referees reports