受扰环面码作为量子存储器的能力
量子物理
2012-01-04 v3 强关联电子
摘要
我们分析了二维环面码在作为量子存储器时，典型未知扰动对其的影响，并考虑了读出时纠错的效果。通过将系统转化为经历瞬时淬火的一维横向伊辛模型，并广泛利用Lieb-Robinson界，我们证明对于一大类扰动，存储信息的存活时间至少随系统尺寸对数增长。均匀磁场使这种标度行为饱和。我们表明，随机化稳定子强度可给出多项式存活时间，其阶数取决于扰动的强度。
引用
@article{arxiv.1107.3940,
title = {The Capabilities of a Perturbed Toric Code as a Quantum Memory},
author = {Alastair Kay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3940},
year = {2012}
}
备注
4 and a bit pages, 3 figures v3: Published version