InAs/GaSb 量子阱中的反常德哈斯-范阿尔芬效应
介观与纳米尺度物理
2017-05-03 v1 强关联电子
摘要
德哈斯-范阿尔芬效应（dHvAe）描述了材料中磁化强度随外加磁场倒数周期性振荡的现象。它构成了一套成熟测量费米面性质方法的基础，其观测通常被视为系统具有金属性的直接标志。然而，某些绝缘体可因满带中电子态能量的量子化而表现出类似的磁化振荡。最近，这种“反常”dHvAe（AdHvAe）的理论已被建立，但迄今尚无明确的实验观测。在此，我们展示 InAs/GaSb 量子阱的反转窄带隙区域是观测 AdHvAe 的理想平台。基于我们的微观计算，我们对相关的磁场和温度区间做出了定量预测，并描述了明确的实验特征。
引用
@article{arxiv.1610.01131,
title = {The Anomalous de Haas-van Alphen Effect in InAs/GaSb quantum wells},
author = {Johannes Knolle and Nigel R. Cooper},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.01131},
year = {2017}
}
备注
4.1 pages, 3 figures