中文

用于LHCb UT升级项目的预原型硅条传感器的测试束研究

仪器与探测器 2015-11-09 v4 高能物理 - 实验

摘要

LHCb实验正准备在2018-2019年进行重大升级。升级的关键部件之一是位于实验分析磁铁上游的新型硅径迹探测器。上游径迹探测器(UT)将由四层硅条探测器组成,每层覆盖面积约2 m2^2。这些探测器的一个重要考量是其暴露于大辐射剂量后的性能。本文给出了预原型n-in-p与p-in-n传感器的测试束结果,这些传感器已接受注量高达4.0×10144.0\times10^{14} neqn_{\rm eq} cm2^{-2}的辐照。

关键词

引用

@article{arxiv.1506.00229,
  title  = {Testbeam studies of pre-prototype silicon strip sensors for the LHCb UT upgrade project},
  author = {Andrea Abba and Marina Artuso and Steven Blusk and Thomas Britton and Adam Davis and Adam Dendek and Biplab Dey and Scott Ely and Jinlin Fu and Paolo Gandini and Federica Lionetto and Peter Manning and Brian Meadows and Ray Mountain and Nicola Neri and Marco Petruzzo and Malgorzata Pikies and Tomasz Skwarnicki and Tomasz Szumlak and Jianchun Wang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.00229},
  year   = {2015}
}

备注

25 pages, 20 figures