用于TOTEM升级项目的UFSD硅探测器测试
仪器与探测器
2017-02-20 v1 高能物理 - 实验
摘要
本文描述了基于50微米厚超快硅探测器(UFSD)的原型计时探测器的性能，该性能是在使用180 GeV/c动量π介子束的束流测试中所测量的。此处研究了时间精度对像素电容和偏置电压的依赖性。在180 V偏置电压下，根据像素电容的不同，测得时间精度为30 ps至100 ps。时间精度也作为偏置电压的函数被测量。
引用
@article{arxiv.1702.05180,
title = {Test of UFSD Silicon Detectors for the TOTEM Upgrade Project},
author = {R. Arcidiacono and M. Berretti and E. Bossini and M. Bozzo and N. Cartiglia and M. Ferrero and V. Georgiev and T. Isidori and R. Linhart and N. Minafra and M. M. Obertino and V. Sola and N. Turini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05180},
year = {2017}
}