半导体超晶格中的太赫兹参量增益
介观与纳米尺度物理
2009-10-02 v1 统计力学
摘要
我们研究了在直流和交流电场作用下超晶格单个微带中电子的高频响应。交流电场的作用引起微带中电子有效质量的振荡，进而导致参量共振。我们确立了在共振下相敏参量放大的理论可行性。该参量放大不需要在负微分电导条件下工作。因此，可以阻止超晶格内部破坏性高电场畴的形成。在此我们专注于将电磁辐射从可用频率参量上转换和下转换至理想的太赫兹频段。
引用
@article{arxiv.0706.2967,
title = {Terahertz Parametric Gain in Semiconductor Superlattices},
author = {Timo Hyart and Alexey V. Shorokhov and Kirill N. Alekseev},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2967},
year = {2009}
}
评论
Submitted to Conference Digest of IRMMW-THz 2007 Cardiff, 2 pages, 3 figures