质子辐照硅体内产生的反向电流的温度标度

对于高辐照器件，硅体内产生电流的温度依赖性标度参数 $E_{\text{eff}}$ 的值被研究。辐照注量高于 $1 \times 10^{15} n_{\text{eq}} \text{cm}^{-2}$ 的器件测量显示出与低注量辐照器件不同的温度标度行为。本文给出了用质子辐照至注量达 $3 \times 10^{15} n_{\text{eq}} \text{cm}^{-2}$ 的二极管在 $0$V 至 $1000$V 偏压范围、温度从 $-36 ^{\circ}\text{C}$ 到 $0 ^{\circ}\text{C}$、不同退火阶段的参数 $E_{\text{eff}}$ 的确定。结果表明，高辐照器件的 $E_{\text{eff}}$ 依赖于所加电场：在耗尽电压以下，$E_{\text{eff}}$ 观察到比耗尽电压以上具有更低的值。