不同原子有序度的 Co2FeAl 薄膜的温度依赖吉尔伯特阻尼
材料科学
2017-12-27 v2
摘要
半金属性和低磁阻尼是自旋电子学材料中一直追求的特性，而全赫斯勒合金在这方面提供了出色的性能。然而，在沉积态全赫斯勒合金薄膜中获得有序的半金属相具有挑战性，且理论一直难以建立对这些体系中温度依赖吉尔伯特阻尼的基本理解。在此，我们展示了对不同有序度的沉积态 Co2FeAl 全赫斯勒合金薄膜的温度依赖吉尔伯特阻尼的研究。带间和带内电子散射的总和，结合布洛赫态中有限的电子寿命，决定了有序相的吉尔伯特阻尼，这与部分有序和无序相的阻尼仅由带间电子散射决定形成对比。这些结果，特别是对有序相观察到的超低室温本征阻尼，为全赫斯勒合金薄膜中吉尔伯特阻尼的物理起源提供了新的基本见解。
引用
@article{arxiv.1706.04670,
title = {Temperature-dependent Gilbert damping of Co2FeAl thin films with different degree of atomic order},
author = {Ankit Kumar and Fan Pan and Sajid Husain and Serkan Akansel and Rimantas Brucas and Lars Bergqvist and Sujeet Chaudhary and Peter Svedlindh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.04670},
year = {2017}
}
备注
14 Pages, 1 Table, 8 Figures, American Physical Society Journal