硼掺杂 Fe$_{80}$Ga$_{20}$ 薄膜中的磁应应和温度依赖 Gilbert 阻尼

具有强磁弹性耦合和低 Gilbert 阻尼的磁性薄膜是许多磁电器件的关键材料。本文研究了硼掺杂浓度对 (Fe$_{80}$Ga$_{20}$)$_{1-x}$B$_{x}$ 薄膜中磁应应和温度依赖 Gilbert 阻尼的影响。观察到硼含量接近 8% 时发生晶体到非晶结构的相变，并伴随着铁磁 coercivity 从 76 Oe降至 3 Oe。10% 的掺杂浓度最适合实现 48.8 ppm 的大磁应应和 $6 \times 10^{-3}$ 的低 Gilbert 阻尼。阻尼随温度的变化显示在低温下有所增加，约在 40 K 处达到峰值，我们将相对增量 $\Delta\alpha/\alpha_{RT}$ 与磁弹性对阻尼的贡献相关联，该贡献在 8% 硼掺杂时最大值为 55.7%。在约 8% 的硼掺杂浓度处观察到不均匀线宽的展宽。该研究表明，将玻璃形成元素（本例为硼）掺入 Fe$_{80}$Ga$_{20}$ 是实现增强磁弹性耦合和降低 Gilbert 阻尼的可行路径。