纳米接触型自旋力矩振荡器中线宽的温度依赖性：多振荡模式的影响

我们讨论了模式跃迁对纳米接触型自旋力矩振荡器（STO）中线宽（$\Delta f$）的电流（I）与温度（T）依赖性的影响。在恒定电流下，$\Delta f$ 在模式跃迁附近表现出反常的温度依赖性；$\Delta f$ �随 T 增加还是减小取决于其相对于模式跃迁的位置。我们表明，尽管在模式跃迁附近存在两种模式，但如果非线性放大率直接由实验确定，则 $\Delta f$ 作为 I 的函数的行为可以用 STO 的单模式解析理论来拟合。利用最近发展的双耦合模式理论，我们证明了模式跃迁附近的线宽可以用具有增强非线性放大率的“有效”单振荡器理论来描述，该放大率携带额外的温度依赖性，从而定性地解释了实验结果。