一砷化钽：一种奇特的补偿半金属

与几十年来广泛使用的硅和砷化镓等半导体相比，半金属在凝聚态物理领域直到最近才受到广泛关注。电子拓扑性质的实现激发了人们对 Dirac 半金属和 Weyl 半金属的研究兴趣，预计它们将展现出超越经典金属电子理论的前所未有的特性。在本文中，我们首次报道了近期理论计算提出的稳健 Weyl 半金属候选材料 TaAs 的电输运性质。我们的研究表明，该块体材料表现出超高的载流子迁移率（$\mathrm{5\times10^5 cm^2/V\cdot{s}}$），并伴随极大的不饱和线性磁电阻（$\mathrm{MR}$），其在 10 Kelvin 温度、9 Tesla 磁场下达到 5400，在 1.5 Kelvin 温度、56 Tesla 磁场下达到 2.47$\times$10$^4$。我们还观测到了与极低量子极限（$\sim$8 Tesla）相关的强 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡。对 TaAs 的进一步研究，特别是在超量子极限区域的研究，将有助于拓展对这些奇特电子拓扑性质的实现。