钽单砷化物中的电子散射
材料科学
2017-02-07 v1
摘要
我们报道了针对TaAs（首个实验确认的破反转对称性的Weyl半金属）多种样品的单晶生长与电输运性质的全面研究。不同样品的输运参数通过双带模型拟合和Shubnikov-de Haas振荡分析获得。我们发现当费米能级接近Weyl节点时，输运寿命与量子寿命的比值因子被强烈增强。这一结果与源自Weyl半金属散射过程中手性保护偏移的side-jump解释一致。
引用
@article{arxiv.1702.01245,
title = {Electron scattering in tantalum monoarsenide},
author = {Cheng-Long Zhang and Zhujun Yuan and Qing-Dong Jiang and Bingbing Tong and Chi Zhang and X. C. Xie and Shuang Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01245},
year = {2017}
}
备注
This is a modified version of arXiv:1502.00251