驯服带电缺陷：利用里德伯激子实现半导体中的大规模纯化

我们研究了半导体氧化亚铜中高激发里德伯激子与带电杂质之间的相互作用。我们发现该相互作用是长程的，并基于电荷诱导偶极相互作用。我们证明可以利用这种相互作用在整个晶体中中和杂质——我们将此效应称为纯化。纯化大幅降低了有害的电杂散场。我们发现纯化后晶体的吸收增加了高达 25%，且纯化效应是长寿命的，可能持续数百微秒甚至更久。利用时间分辨泵浦-探测技术，我们能够将纯化与里德伯阻塞区分开来，这一直是激子里德伯系统中的长期目标。