Cu$_2$O中毫开尔文温度下的里德伯激子
介观与纳米尺度物理
2025-11-03 v1
摘要
在吸收实验中，已在毫开尔文温度下观察到半导体CuO中主量子数高达n=28的里德伯激子[1]。在这里，我们通过改变温度和激发功率来扩展实验参数空间。特别地，我们表明，靠近带隙的P激子对激发功率的增加比相关D激子多重态的状态更敏感，尽管后者位于相对更高的能量。这一发现与施加外部电场时观察到的现象相似，表明观察到的行为源于由光致电离的带电杂质产生的内建电场。在低于1 W/cm的激光强度下，观察到了n=29的激子吸收线。
引用
@article{arxiv.2510.26966,
title = {Rydberg excitons in Cu$_2$O at millikelvin temperatures},
author = {Julian Heckötter and David Janas and Marc Aßmann and Manfred Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.26966},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 4 figures