二维半导体中电子与里德堡激子的相互作用

二维半导体中的里德堡激子可作为邻近样品层中承载关联电子态的灵敏且无损探针。特别是，样品层的电子或空穴掺杂会表现为传感器层中 2s 激子的强频移和跃迁强度丧失；这些特征被归因于 2s 激子与远程电子形成束缚态。通过对激子-电子散射的理论分析，我们证明实验光谱只能由电子介导的 2s、2p 和层间激子的杂化来解释，从而导出一种新的多体态，我们称之为里德堡吸引极化子。我们预期这一新理解将确保对二维材料中关联电子特征的更准确评估。