稀释金属 Bi$_2$O$_2$Se 中无 Umklapp 散射的 T 平方电阻率
强关联电子
2020-08-04 v2
摘要
费米液体（FLs）的电阻率由于电子-电子（e-e）散射而呈现二次温度（）依赖关系。对于此类碰撞衰减电荷电流，已知有两种机制：带间散射（由 Baber 指出）与 Umklapp 过程。然而，研究发现稀释金属钛酸锶（STO）在缺乏这两种机制之一的情况下仍呈现 电阻率。软声子的存在及其可能作为散射中心的作用，令人怀疑 STO 中的 T 平方电阻率并非源于 e-e 散射。在此，我们给出 BiOSe 的案例，这是一种具有硬声子的层状半导体，掺杂后成为具有小单分量费米面的稀释金属。它在远低于简并温度以下呈现 平方电阻率，而在此温度下无论是 Umklapp 还是带间散射均不可设想。我们观察到 电阻率前置因子与费米能之间的普适标度关系，这是 Kadowaki-Woods 图向稀释金属的拓展。我们的结果意味着，对于费米液体中由 e-e 驱动的 T 平方电阻率的普遍性，尚缺乏令人满意的理论基础。
引用
@article{arxiv.2003.11697,
title = {T-square resistivity without Umklapp scattering in dilute metallic Bi$_2$O$_2$Se},
author = {Jialu Wang and Jing Wu and Tao Wang and Zhuokai Xu and Jifeng Wu and Wanghua Hu and Zhi Ren and Shi Liu and Kamran Behnia and Xiao Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.11697},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 4 figures