太赫兹诱导激子 Rabi 分裂的系统研究
材料科学
2015-06-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
应用弱近红外光和强太赫兹激发来研究 (GaIn)As/GaAs 量子阱中的激子 Rabi 分裂。对于不同的太赫兹强度和相对于激子内重空穴 1s-2p 跃迁的失谐量，观察到了分裂峰的显著反交叉行为。在中等至高电场下，分裂变得高度不对称并表现出显著的展宽。需要完全微观的理论来解释实验结果。与二能级模型的比较揭示了在较高激发水平下更高激子态的重要性日益增加。
引用
@article{arxiv.1305.7084,
title = {Systematic investigation of THz-induced excitonic Rabi splitting},
author = {M. Teich and M. Wagner and D. Stehr and H. Schneider and M. Helm and G. Khitrova and H. M. Gibbs and A. C. Klettke and S. Chatterjee and M. Kira and S. W. Koch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.7084},
year = {2015}
}