单个二能级隧穿缺陷的 Rabi 噪声谱学
无序系统与神经网络
2017-07-05 v1
摘要
理解二能级隧穿缺陷的本质对于最小化其在各种纳米器件中的破坏性影响非常重要。通过利用这些缺陷与超导量子比特的共振耦合，可以对它们进行单独探测和相干操控。在本工作中，我们利用相位量子比特诱导单个隧穿缺陷的 Rabi 振荡，并测量其退相干率作为缺陷不对称能的函数，该不对称能由施加的应变调节。退相干率与外部应变呈二次方标度，并与 Rabi 频率成反比。这些结果在相互作用标准缺陷模型中得到了分析和解释，在该模型中，相干高频缺陷的纯退相干是由与非相干低频热激发缺陷的相互作用引起的。
引用
@article{arxiv.1703.09303,
title = {Rabi noise spectroscopy of individual two-level tunneling defects},
author = {Shlomi Matityahu and Jürgen Lisenfeld and Alexander Bilmes and Alexander Shnirman and Georg Weiss and Alexey V. Ustinov and Moshe Schechter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.09303},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 2 figures