基于过渡金属碲化物的点接触中的可切换畴
介观与纳米尺度物理
2021-08-25 v2
摘要
我们报道了基于一系列范德瓦耳斯过渡金属碲化物（TMTs）如 MeTe2（Me=Mo、W）和 TaMeTe4（Me=Ru、Rh、Ir）的电压偏置点接触（PCs）中的阻变切换。该切换通过施加特定偏置电压（<1V）在作为基态的低阻“金属型”态与高阻“半导体型”态之间发生，而反向切换通过施加相反极性的电压实现。该效应的起源可以是施加偏置电压时在 PC 核心中形成畴，此时强电场（约 10kV/cm）改变晶体结构并控制其极化。除了发现 PCs 中的切换效应外，我们还提出了一种在功能化前对材料进行测试的简单方法，这在寻找合适新型物质方面具有巨大优势。所研究的 TMTs 的新功能源于亚微米异质结构中的可切换畴，其在例如非易失性阻变随机存取存储器（RRAM）工程中具有应用前景。
引用
@article{arxiv.2011.01569,
title = {Switchable domains in point contacts based on transition metal tellurides},
author = {Yu. G. Naidyuk and D. L. Bashlakov and O. E. Kvitnitskaya and B. R. Piening and G. Shipunov and D. V. Efremov and S. Aswartham and B. Büchner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.01569},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 4 figs., supplement with 8 figs. V2 some text revision