一维电子/自旋系统磁化平台边缘点的磁化率
强关联电子
2015-05-13 v1
摘要
我们在玻色化框架内研究一维电子系统磁化平台紧邻区域中磁化曲线作为磁场函数的行为。首先讨论在一维电子系统饱和磁化处形成的平台。我们采用微扰最低阶处理电子间的相互作用。我们证明，对于总电子数不允许变化的孤立系统，磁化率在半填充之外始终保持有限。类似的结论也适用于一维电子/自旋系统中遇到的许多其他支持无磁能隙激发的磁化平台，前提是不存在导致模式解耦的特殊对称性或特征。我们以掺杂调制哈伯德链中磁化无理数值处的平台为例进行了演示。最后，我们讨论了吸引相互作用电子/反铁磁相互作用自旋1玻色子的饱和磁化平台的弱耦合描述与零磁化平台的强耦合描述之间的联系。
引用
@article{arxiv.0908.1894,
title = {Susceptibility at the edge points of magnetization plateau of 1D electron/spin systems},
author = {Temo Vekua},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.1894},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 figures. To appear in Phys. Rev. B