角分辨光电子能谱研究LaFeAsO中的表面驱动电子结构
超导电性
2015-05-19 v1
摘要
我们使用角分辨光电子能谱（ARPES）测量了铁砷母体化合物LaFeAsO的电子结构。通过与全势线性缀加平面波计算进行比较，我们表明通过ARPES测量到的额外大的Gamma空穴口袋来自样品表面的电子结构。基于此，我们讨论了能带结构的强偏振依赖性以及M点附近一个与温度相关的空穴型能带。这两个现象为表面驱动电子结构的存在提供了额外的证据。
引用
@article{arxiv.1006.0929,
title = {Surface-driven electronic structure in LaFeAsO studied by angle resolved photoemission spectroscopy},
author = {Chang Liu and Yongbin Lee and A. D. Palczewski and J. -Q. Yan and Takeshi Kondo and B. N. Harmon and R. W. McCallum and T. A. Lograsso and A. Kaminski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0929},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 6 figures