半导体微腔中瓶颈效应的抑制
凝聚态物理
2009-11-07 v1
摘要
在速率方程近似下研究了腔极化激元通过热声学声子散射的弛豫动力学。数值结果表明，在高极化激元密度下，下极化激元态的瓶颈效应得到抑制。我们发现，类光极化激元的长衰减时间、嵌入式量子阱的薄宽度以及小的激子-腔失谐均有利于瓶颈效应的抑制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207547,
title = {Suppression of the bottleneck in semiconductor microcavities},
author = {T. D. Doan and D. B. Tran Thoai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207547},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures. Submitted to Solid State Communication