存在参数涨落时的超辐射相变

我们从理论上分析了参数涨落对大量超导量子比特与单个腔耦合装置中超辐射相变的影响。我们包含了超导架构典型的参数涨落，例如量子比特能隙、偏置点和量子比特-腔耦合强度的涨落。我们发现这种情况下应发生相变，尽管其表现与无涨落情况有些不同。我们还发现量子比特能隙和量子比特-腔耦合强度的涨落不一定使达到相变点更困难。然而，偏置点的涨落增加了达到量子相变点并进入超辐射相所需的耦合强度。类似地，这些涨落降低了热相变的临界温度。