镍基化合物GdONiBi与空穴掺杂Gd0.9Sr0.1ONiBi的超导电性
超导电性
2008-08-01 v1 强关联电子
摘要
我们成功合成了超导转变温度约为4.5 K的镍基化合物GdONiBi。通过用Sr部分替代Gd元素向材料中引入空穴，得到了临界温度约为4.7 K的新型超导体Gd0.9Sr0.1ONiBi。镍基样品的常态电阻率呈现金属性行为。磁电阻测量显示其行为与铁基化合物不同，表明这两类超导体的机制可能不同。
引用
@article{arxiv.0807.5045,
title = {Superconductivity in nickel-based compound GdONiBi and hole doped Gd0.9Sr0.1ONiBi},
author = {Junyi Ge and Shixun Cao and Jincang Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.5045},
year = {2008}
}
备注
8 pages, 3 figures