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基于直写激光技术在三维形貌上制备超导隧道结

超导电性 2021-02-03 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

超导结广泛应用于从量子信息科学与传感到固态制冷的众多领域。传统上,此类器件必须使用标准光刻技术在平坦衬底上制备。本研究中,我们展示了一种高度灵活的方法,可在更复杂的形貌上制备超导结。该方法基于无掩模直写激光(DLW)双光子光刻,可在三维空间中直写。我们展示了可在20 μ\mum高的三维形貌上制备高质量正常金属–绝缘体–超导体(NIS)隧道结。结合更先进的抗蚀剂涂覆方法,该技术未来有望在几乎任意类型的形貌上实现亚微米器件制备。

关键词

引用

@article{arxiv.2009.09749,
  title  = {Superconducting tunnel junction fabrication on three-dimensional topography via direct laser writing},
  author = {Samuli Heiskanen and Ilari J. Maasilta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2009.09749},
  year   = {2021}
}