衬底增强锂装饰石墨烯的超导电性

T. P. Kaloni; A. V. Balatsky; U. Schwingenschlögl

doi:10.1209/0295-5075/104/47013

衬底增强锂装饰石墨烯的超导电性

超导电性 2013-12-17 v2 介观与纳米尺度物理材料科学

作者: T. P. Kaloni , A. V. Balatsky , U. Schwingenschlögl

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们研究了衬底对锂装饰石墨烯中电子 - 声子耦合强度的作用。我们发现，与 $h$ -BN 衬底的相互作用导致耦合常数从 $\lambda_0=0.62$ 显著增强至 $\lambda_1=0.67$ ，这对应于转变温度从 $T_{c0}=10.33$ K 增加 $25\%$ 至 $T_{c1}=12.98$ K。超导能隙分别为 1.56 meV（悬浮）和 1.98 meV（支撑）。这些发现为通过衬底工程提高石墨烯基材料的超导转变温度开辟了新途径。

关键词

超导电性锂装饰石墨烯衬底工程电子 - 声子耦合 h-bn 衬底转变温度超导能隙

引用

@article{arxiv.1312.2134,
  title  = {Substrate enhanced superconductivity in Li-decorated graphene},
  author = {T. P. Kaloni and A. V. Balatsky and U. Schwingenschlögl},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1312.2134},
  year   = {2013}
}

备注

11 pages, 3 figures, and 1 table

衬底增强锂装饰石墨烯的超导电性

摘要

关键词

引用

备注

相关论文