石墨烯中焦耳加热的强衬底依赖性
介观与纳米尺度物理
2011-11-01 v1
摘要
通过全带蒙特卡洛电子动力学与三维热传导模拟的自洽耦合，研究了焦耳加热效应对石墨烯电子特性的影响。考察了多种具有技术重要性的衬底材料：SiO2、SiC、六方氮化硼 (h-BN) 和金刚石。结果表明，衬底的选择通过热传导和表面极化声子散射产生重大影响。特别是，发现 SiO2 较差的热导率导致石墨烯中出现显著的焦耳加热和饱和速度退化（其特征为所谓的 1/√n 衰减）。综合考虑各项特性，在电子应用中，氮化硼 (BN) 似乎比其他衬底选择更具优势。
引用
@article{arxiv.1110.6471,
title = {Strong Substrate Dependence of Joule Heating in Graphene},
author = {X. Li and B. D. Kong and J. M. Zavada and K. W. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.6471},
year = {2011}
}