量子点阵列中的亚退相干信息编码

研究半导体纳米结构中量子信息方案的一种潜在实现。为此，回顾避免错误的量子编码形式理论，并讨论模型系统无噪声态的存在性。基于该理论框架，我们分析在现实半导体结构中设计无噪声量子码的可能性。在所考虑的具体实现中，信息编码于量子点线性阵列电荷激发的最低能量扇区。所考虑的退相干通道为电子-声子耦合。我们表明，除了众所周知的声子瓶颈（它减小单量子比特退相干）外，合适的多量子比特初始制备以及寄存器设计可将退相干时间增强数个数量级。此行为源于在相关物理参数区域内声子环境的有效一维特性。