利用高通量抗损耗纠缠光态实现亚瑞利光刻
量子物理
2013-05-30 v1
摘要
量子光刻利用脆弱且实验上具有挑战性的纠缠光态实现相位超分辨。我们提出了一种可扩展的方案，能够产生比经典方法更窄的特征，同时减少量子资源的使用，从而增强对损耗的抵抗能力。该方案是干涉光刻的一种实现，使用了SPDC纠缠态与强经典相干光的混合。我们测量了多达四个光子的符合计数，模拟了多光子吸收。结果表明，与最佳经典类比方案相比，干涉条纹的窄化程度高达30%，而所需的非经典光仅为创建NOON态所需光量的10%。
引用
@article{arxiv.1201.0637,
title = {Sub-Rayleigh lithography using high flux loss-resistant entangled states of light},
author = {Shamir Rosen and Itai Afek and Yonatan Israel and Oron Ambar and Yaron Silberberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.0637},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures