利用碳纳米管中电子反冲探测亚GeV暗物质

通过研究平行碳纳米管大型阵列中的电子反冲，可以实现对MeV质量范围内暗物质粒子（DM）的方向性探测。在与晶格电子的散射过程中，暗物质粒子可能传递足够的能量将其从纳米管表面弹出。外加电场用于将电子从阵列的开放端驱动至探测区域。计算了该探测方案随靶向相对于暗物质风取向变化的各向异性响应，并得出结论：无需直接测量电子出射角度即可探索轻暗物质排除图中的重要区域。一种用密集平行碳纳米管阵列替代阴极元件的紧凑型传感器可作为基本探测单元。