面向未来天文X射线卫星的XRPIX基本性能研究
仪器与探测器
2015-07-27 v1
摘要
我们采用 SOI（绝缘体上硅）技术开发了一种用于 X 射线天文观测的 CMOS 成像传感器（XRPIX）。XRPIX（X-Ray soiPIXel）具有时间分辨率高、位置分辨率高以及利用超过 200 μm 的厚耗尽层在宽 X 射线能段进行观测的优势。然而，XRPIX 的能量分辨率不如 X 射线 CCD。因此，改善能量分辨率是 XRPIX 最重要的开发项目之一。为了更精确地评估 XRPIX 的性能，我们利用两种类型的 XRPIX（XRPIX1 与 XRPIX2b_CZ）研究了其基本性能（如读出噪声、漏电流、增益与能量分辨率）的温度依赖性。在我们的研究中，我们确认读出噪声、漏电流噪声与能量分辨率明显依赖于 XRPIX 的工作温度。此外，我们将读出噪声分解为漏电流噪声与电路本征噪声。结果表明，电路本征噪声与工作温度的平方根成正比。
引用
@article{arxiv.1507.06868,
title = {Study of the basic performance of the XRPIX for the future astronomical X-ray satellite},
author = {Koki Tamasawa and Takayoshi Kohmura and Takahiro Konno and Takeshi Go Tsuru and Takaaki Tanaka and Ayaki Takeda and Hideaki Matsumura and Koji Mori and Yusuke Nishioka and Ryota Takenaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06868},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 13 figures, "Proceedings of International Workshop on SOI Pixel Detector (SOIPIX2015), Tohoku University, Sendai, Japan, 3-6, June, 2015. C15-06-03."