$e^+e^- \to \omega\pi^0$ 中同位旋破缺的 $\phi$ 激发研究

我们在 $\phi$ 质量区附近研究了反应 $e^+ e^-\to \omega\pi^0$。同位旋破缺的 $\phi$ 激发由两种主要机制解释：一种是电磁 (EM) 跃迁，另一种是强同位旋破缺。对于后者，我们考虑了中间强子介子圈和 $\phi$-$\rho^0$ 混合的贡献，它们分别通过 $t$ 通道和 s 通道跃迁作为主要机制。通过拟合最近的 KLOE 数据，我们成功约束了模型参数并提取了 $\phi\to\omega\pi^0$ 的分支比。结果表明，该分支比对 $\phi$ 激发线形和背景贡献敏感。我们还获得了一些关于同位旋破缺与规避 Okubo-Zweig-Iizuka (OZI) 规则跃迁之间关联的关键见解。