SINAP低损耗型500 MHz五腔超导腔研究
加速器物理
2015-02-16 v2
摘要
成功研制了一种具有大束流孔径的低损耗（LL）型500 MHz五腔超导铌原型腔，包括优化、深冲和电子束焊接、表面处理和垂直测试。通过采用扩大的束管传播，优化了基模性能并抑制了高阶模。仔细进行了表面制备或处理，包括机械抛光、缓冲化学抛光和超纯水高压冲洗等，以确保完美的内表面条件。垂直测试结果表明，在4.2 K下获得了高于7.5 MV的加速电压，同时品质因子优于1E9。测试中未发现明显的次级电子倍增或场致发射。然而，当场强略高于7.5 MV时发生失超，目前限制了腔的性能。
引用
@article{arxiv.1407.3003,
title = {Studies of LL-type 500MHz 5-cell superconducting cavity at SINAP},
author = {Hong-Tao Hou and Zhen-Yu Ma and Dong-Qing Mao and Zi-Qiang Feng and Chen Luo and Jing Shi and Yan Wang and Zheng Li and Kai Xu and Yubin Zhao and Xiang Zheng and Shen-Jie Zhao and Zhi-Gang Zhang and Jian-Fei Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3003},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 7 figures