候选 Weyl 半导体 CeGaGe 的结构表征
强关联电子
2025-06-06 v3 材料科学
摘要
Weyl 半导体具有各种令人兴趣的物理特性，包括与导电态共存的拓扑保护电子态。将拓扑保护态用于导电材料的可能应用前景广阔。形成于非无中心结构且包含磁矩的 Weyl 半导体可能宿主各种无法在磁性、无心中心 Weyl 材料中看到的新现象。在两个原子在化合物中拥有接近相同原子编号的情况下，标准粉末 X 射线衍射仪器很难确定是无心中心结构还是其非无心中心亚群。对于候选 Weyl 半导体 CeGaGe 这种情况尤为常见。在这种情况下，进行带有高角度反射的精细单晶中子衍射实验可为 X 射线衍射提供补充信息，从而确定无心中心与非无心中心晶体结构之间的任何歧义。对候选 Weyl 半导体 CeGaGe的单晶中子衍射测量确认，其结构为非无心中心，取代空间群 141 ，为空间群 109 。数据集中有许多高角反射，清晰、直观的证据表明 CeGaGe 采用 对称性，因为这些反射的布拉格面可以包含 Ga 而不包含 Ge，反之亦然；而采用 对称性的结构的布拉格面则包含 Ga 和 Ge 的混合物。进一步地，在我们研究的一些晶体中，存在从体心 对称性向原始 和/或 对称性的结构相变的明确证据。
引用
@article{arxiv.2412.05219,
title = {Structural characterization of the candidate Weyl semimetal CeGaGe},
author = {Liam J. Scanlon and Santosh Bhusal and Christina M. Hoffmann and Junhong He and Sean R. Parkin and Brennan J. Arnold and William J. Gannon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.05219},
year = {2025}
}