CeAlGe 中的拓扑霍尔效应
强关联电子
2023-07-24 v2 材料科学
摘要
Weyl 半金属 CeAlGe 因存在拓扑磁相而成为研究实空间与动量空间中非平凡拓扑的有前景材料。我们在常压下的结果表明，CeAlGe 的电子性质对微小的化学计量比变化极为敏感。特别是，CeAlGe 中存在的拓扑霍尔效应（THE）在部分化学组成几乎相同的样品中却不存在。外加压力有利于反铁磁基态。它还在常压下不可见之处诱导出 THE。此外，很小的压力就足以将磁场中 THE 的单一区域驱动为两个不同的区域。我们的结果揭示了 CeAlGe 电子性质对其化学组成的微小变化具有极端敏感性，从而导致其可通过外部刺激高度调控。我们可以将这种敏感性与费米能级移动及畴壁联系起来。
引用
@article{arxiv.2303.12144,
title = {Topological Hall effect in CeAlGe},
author = {M. M. Piva and J. C. Souza and G. A. Lombardi and K. R. Pakuszewski and C. Adriano and P. G. Pagliuso and M. Nicklas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.12144},
year = {2023}
}
备注
Accepted in Physical Review Materials