三带tJ模型中的条纹、赝隙和Van Hove嵌套

在高温铜氧化物超导体的三带tJ模型中进行了奴隶玻色子计算，并包含了与氧呼吸模声子的耦合。声子诱导的Van Hove嵌套导致空穴掺杂区域和接近半填充的（磁性）区域之间的相分离，长程库仑力将分离限制在纳米尺度。强关联效应将费米能级钉扎在接近但不完全在Van Hove奇点（VHS）处，这可以增强相分离的趋势。计算了均匀相和相分离区域中的色散。在后一种情况下，对于大的随机域和规则的（静态）条纹阵列，发现了明显不同的色散，并为动态条纹阵列提出了一种假设形式。发现后者的掺杂依赖性为欠掺杂铜氧化物中赝隙形成的光电子和热力学实验提供了极好的描述。特别是，观察到的多重间隙被解释为通量相和电荷密度波（CDW）间隙以及超导间隙的组合。最大的间隙与VHS嵌套相关。该间隙随掺杂的表观平滑演变掩盖了从接近最佳掺杂的CDW效应到接近半填充的磁效应（通量相）的交叉。发现随着欠掺杂增加，从大费米面到空穴口袋的交叉。在弱过掺杂区域，CDW经历量子相变（$T_{CDW}\to 0$），这可能被相分离所掩盖。