掺杂函数下纹理相的演化：基于ARPES数据理论分析
强关联电子
2009-11-07 v2 超导电性
摘要
通过将t-J模型和 Hubbard模型的单粒子谱函数与LSCO和Nd-LSCO的最近角分辨光电子能谱(ARPES)结果进行比较，我们可以确定随着掺杂变化，空洞的分布位置，并更具体地了解在特定掺杂条件下，这些材料中纹理（键或站点中心）的类型。对于约12%以上的掺杂，我们的计算进一步显示，空洞倾向于从金属纹理向相邻的反歧米尔森域扩散。我们采用簇扰动技术计算了这些谱图，并提供了另一种替代表述。讨论了关于高Tc超导性理论的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103030,
title = {Evolution of the stripe phase as a function of doping from a theoretical analysis of angle-resolved photoemission data},
author = {Marc G. Zacher and Robert Eder and Enrico Arrigoni and Werner Hanke},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103030},
year = {2009}
}
备注
minor changes, some references added