应变诱导的黑磷能隙修饰
介观与纳米尺度物理
2014-08-26 v1 材料科学
摘要
利用密度泛函理论和紧束缚模型预测了单层黑磷的能带结构及其应变效应。在从第一性原理确定了各能带的局域轨道组成后，我们利用系统对称性写出了 点处的有效低能哈密顿量。通过数值计算和基于材料晶体结构的论证，我们表明垂直于平面方向的形变可用于改变能隙大小并诱导半导体 - 金属相变。
引用
@article{arxiv.1401.1801,
title = {Strain-induced gap modification in black phosphorus},
author = {A. S. Rodin and A. Carvalho and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.1801},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 5 figures