带电 GaAs 量子点中的受激拉曼自旋相干性与自旋翻转诱导烧孔
介观与纳米尺度物理
2008-04-01 v2
摘要
高分辨率光谱烧孔 (SHB) 技术在相干非简并微分透射光谱中揭示了负电荷量子点系综中的自旋 - 三激元动力学。在 Voigt 几何构型下，受激拉曼自旋相干性在三激元光谱烧孔之上产生了斯托克斯和反斯托克斯边带。零失谐处极窄尖峰的显著特征源于自旋布居脉动动力学。这些 SHB 特征证实了带电量子点中相干的电子自旋动力学，而其线宽则揭示了自旋光谱扩散过程。
引用
@article{arxiv.0707.1726,
title = {Stimulated Raman spin coherence and spin-flip induced hole burning in charged GaAs quantum dots},
author = {Jun Cheng and Wang Yao and Xiaodong Xu and D. G. Steel and A. S. Bracker and D. Gammon and L. J. Sham},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.1726},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 5 figures