升华晶体表面台阶流动诱导的台阶聚并过程
材料科学
2015-06-04 v1 计算物理
摘要
采用动力学蒙特卡罗方法研究了台阶化的GaN(0001)表面，并与基于Burton-Carbera-Frank方程的模型进行了比较。讨论了高温升华过程中表面图案演化的连续阶段。在低升华速率下，形成清晰、轮廓分明的台阶聚并体。该过程发生在理想表面不存在或存在极低Schwoebel势垒的情况下。由若干台阶组成的聚并体彼此分离良好，移动缓慢且相当刚硬。当升华过程加快时，过程特征发生变化，双台阶结构成为主导，并与曲折结构和局部聚并体一起组装成有序度较低的表面图案。针对一维系统所写的解析方程的解证实，台阶聚并是由台阶流动各向异性引起的粒子平流所诱导的。当由于低Schwoebel势垒导致台阶两侧对称时，这种各向异性变得重要。模拟表明，在极高Schwoebel势垒的相反极限下，台阶断裂并形成粗糙表面。
引用
@article{arxiv.1203.0194,
title = {Step bunching process induced by the flow of steps at the sublimated crystal surface},
author = {M. A. Zaluska-Kotur and F. Krzyzewski and S. Krukowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.0194},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 8 figures