二维 t-J 模型中电子错位通量态

在二维 t-J 模型中，基于 U(1) 从母形均匀场理论分析了错位通量态(即 d 密度波态)与 d 波配对态之间的竞争。我们不仅考虑了自旋子的错位通量，也考虑了 holon 的错位通量。在该制式下，物理电子的跳跃序参量由自旋子和 holon 的跳跃序参量之积描述。电子的错位通量�幅为自旋子错位通量�幅与 holon 错位通量�幅之差。在自旋子的 $\pi$-通量相中，自旋子和 holon 的错位通量完全抵消，电子的错位通量序不再存在。然而，在自旋子错位通量相中（其错位通量�幅不为 $\pi$），两种通量不会完全抵消，电子的错位通量�幅仍然存在。因此，这两种相（$\pi$-通量相和自旋子错位通量相）之间的相变在物理电子图景下变为二阶相变。 characterize 这种相变的序参量是电子的错位通量序参量。显示了均匀场相图。我们在解析上证明了错位通量与 d 波配对不存在共存。展示了费米面和在 $(0,\pi)$ 处激发间隙的温度依赖性。这些行为与角分辨光子谱实验（ARPES）一致。