弱 $\mathbb{Z}_2$ 拓扑绝缘体和超导体的表面态稳定性
介观与纳米尺度物理
2014-01-21 v2
摘要
我们研究了作为强 拓扑绝缘体(超导体)堆叠而成的弱 拓扑绝缘体(超导体)的表面态在无序下的稳定性,考虑了不同空间维度下 Altland-Zirnbauer 对称类中的代表性 Dirac 哈密顿量。我们表明,在没有无序的情况下,弱 拓扑绝缘体(超导体)的表面 Dirac 费米子可以通过耦合表面 Dirac 锥并导致平移对称性破缺(二聚化)的 Dirac 质量项打开能隙。该二聚化质量是表面 Dirac 哈密顿量中唯一的 Dirac 质量项,而两个符号相反的二聚化能隙相由一个 指数区分。换言之,二聚化的表面可被视为强 拓扑绝缘体(超导体)。我们论证指出,当 Dirac 质量项的系综平均值为零时,表面态不会被无序局域化。
引用
@article{arxiv.1310.5862,
title = {Stability of surface states of weak $\mathbb{Z}_2$ topological insulators and superconductors},
author = {Takahiro Morimoto and Akira Furusaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5862},
year = {2014}
}
备注
8 pages