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弱 $\mathbb{Z}_2$ 拓扑绝缘体和超导体的表面态稳定性

介观与纳米尺度物理 2014-01-21 v2

摘要

我们研究了作为强 Z2\mathbb{Z}_2 拓扑绝缘体(超导体)堆叠而成的弱 Z2\mathbb{Z}_2 拓扑绝缘体(超导体)的表面态在无序下的稳定性,考虑了不同空间维度下 Altland-Zirnbauer 对称类中的代表性 Dirac 哈密顿量。我们表明,在没有无序的情况下,弱 Z2\mathbb{Z}_2 拓扑绝缘体(超导体)的表面 Dirac 费米子可以通过耦合表面 Dirac 锥并导致平移对称性破缺(二聚化)的 Dirac 质量项打开能隙。该二聚化质量是表面 Dirac 哈密顿量中唯一的 Dirac 质量项,而两个符号相反的二聚化能隙相由一个 Z2\mathbb{Z}_2 指数区分。换言之,二聚化的表面可被视为强 Z2\mathbb{Z}_2 拓扑绝缘体(超导体)。我们论证指出,当 Dirac 质量项的系综平均值为零时,表面态不会被无序局域化。

关键词

引用

@article{arxiv.1310.5862,
  title  = {Stability of surface states of weak $\mathbb{Z}_2$ topological insulators and superconductors},
  author = {Takahiro Morimoto and Akira Furusaki},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5862},
  year   = {2014}
}

备注

8 pages