厚全耗尽 CCD 中横向场效应的光斑扫描探测

使用厚全耗尽 CCD 拍摄的平场图像在芯片边缘以及其他位置（例如帧中部抗晕光注入区边界附近）表现出响应变化。针对这些响应变化，已提出两种可能的起源：要么是光度响应（量子效率），要么是有效像素面积在这些区域发生了改变。若是后者，则预期在这些区域会出现源位置和形状畸变，从而对天体测量和弱引力透镜测量产生影响。作为一种实验检查以区分这两种效应并评估畸变幅度，我们对其中一个器件的受影响区域进行了人工星像扫描测量。