超高质量应变Ge量子阱中的无自旋复合费米子
介观与纳米尺度物理
2015-11-18 v1
摘要
我们报道了在承载于应变Ge量子阱中的超高质量二维空穴气里观测到分数量子霍尔效应。霍尔电阻在填充因子 和 处显示出精确量子化的平台以及消失的纵向电阻。根据 附近的温度依赖关系，我们得到复合费米子质量 ，其中 为自由电子质量。由于大的塞曼能，所有观测态均为自旋极化，并可用无自旋复合费米子来描述。
引用
@article{arxiv.1511.05164,
title = {Spinless composite fermions in an ultra-high quality strained Ge quantum well},
author = {Q. Shi and M. A. Zudov and C. Morrison and M. Myronov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.05164},
year = {2015}
}