铁磁半导体 (Ga,Mn)As 薄膜中表面钉扎的自旋波共振模型
材料科学
2014-01-09 v2
摘要
铁磁半导体 (Ga,Mn)As 薄膜中自旋波共振 (SWR) 的来源仍存在争议：SWR 是源于表面各向异性（此时适用表面不均匀性 (SI) 模型），还是源于样品磁结构的体不均匀性（从而需要使用体不均匀性 (VI) 模型）？本文概述了争议产生的基础，并展示了为何在不同条件下，共振样品可能满足 SI 或 VI 模型的假设。在我们的考量中，参考了 Furdyna 团队 [X. Liu 等，Physical Review B 75, 195220 (2007)] 在 (Ga,Mn)As 薄膜中测量的 SWR 谱，涵盖了静磁场 相对于表面的不同配置。我们证明，所研究材料的 SWR 谱的观测配置依赖性可以通过使用表面钉扎参数来描述。
引用
@article{arxiv.1311.5767,
title = {Spin-Wave Resonance Model of Surface Pinning in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As Thin Films},
author = {H. Puszkarski and P. Tomczak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.5767},
year = {2014}
}