基于自旋波的近似 4:2 压缩器
介观与纳米尺度物理
2021-09-21 v1 应用物理
摘要
本文提出一种由 3 输入和 5 输入多数门构成的节能型基于自旋波（SW）的近似 4:2 压缩器。我们通过微磁模拟验证了该方案，并将其性能与最先进的 SW、45nm CMOS 和 Spin-CMOS 对应方案进行评估和比较。评估结果表明，所提出的压缩器相比其精确 SW 设计版本能耗降低 31.5%。此外，它与带方向耦合器（DC）的近似压缩器具有相同的能耗和错误率，但延迟降低 3 倍。另外，与近似 45nm CMOS 对应方案相比，其能耗降低 14%，而平均错误率低 17%。与其他新兴技术相比，所提出的压缩器在能耗方面比基于近似 Spin-CMOS 的压缩器优出 3 个数量级，同时提供相同的错误率。最后，所提出的压缩器所需的芯片面积（以器件数衡量）最小。
引用
@article{arxiv.2109.09554,
title = {Spin Wave Based Approximate 4:2 Compressor},
author = {Abdulqader Mahmoud and Frederic Vanderveken and Florin Ciubotaru and Christoph Adelmann and Said Hamdioui and Sorin Cotofana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.09554},
year = {2021}
}
备注
This work has received funding from the European Union's Horizon 2020 research and innovation program within the FET-OPEN project CHIRON under grant agreement No. 801055. It has also been partially supported by imec's industrial affiliate program on beyond-CMOS logic. F.V. acknowledges financial support from Flanders Research Foundation (FWO) through grant No.~1S05719N