通过低温片上SQUID技术探测Gd$_3$N@C$_{80}$中的自旋转变
介观与纳米尺度物理
2011-03-18 v1 超导电性
摘要
我们展示了GdN@C分子的磁性研究，该分子由一个通过氮原子连接的Gd三聚体封装在C笼中构成。该分子系统可作为磁共振成像应用的高效造影剂。我们使用了一种低温技术，通过将样品放置在片上SQUID附近来检测微小的磁信号。在国家高磁场实验室实施的技术具有在高达7 T的高磁场下工作的特性。GdN@C表现出顺磁行为，并且我们在1.2 K处发现了GdN结构的自旋转变。我们进行了量子力学模拟，表明其中一个Gd离子从态（）转变为态（），这可能是由于C笼与该离子之间的电荷转移所致。
引用
@article{arxiv.1009.0440,
title = {Spin transition in Gd$_3$N@C$_{80}$, detected by low-temperature on-chip SQUID technique},
author = {L. Chen and E. E. Carpenter and C. S. Hellberg and H. C. Dorn and M. Shultz and W. Wernsdorfer and I. Chiorescu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0440},
year = {2011}
}