过渡金属掺杂硅量子点的室温自旋过滤与量子输运
介观与纳米尺度物理
2024-02-28 v1
摘要
自旋过滤是自旋电子学中的一项基本操作，能够实现自旋极化载流子的产生和检测。在此，我们提出并从理论上证明，3d 过渡金属（TM）掺杂的硅量子点（SiQD）是室温自旋过滤器件的合适候选者。利用密度泛函理论（DFT），我们研究了 TM-SiQD 的结构、电子性质和磁行为。我们的计算表明，Mn 掺杂的 SiQD 表现出最高的稳定性。使用 Mn 掺杂 SiQD 设计的自旋过滤器件在 300K 电极温度下显示出 99.9% 的自旋过滤效率，同时具有非常高的电导率。这一卓越的效率使其成为室温自旋电子器件的有力候选者。
引用
@article{arxiv.2402.17461,
title = {Room Temperature Spin Filtering and Quantum Transport with Transition Metal-Doped Silicon Quantum Dot},
author = {Hemant Arora and Arup Samanta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.17461},
year = {2024}
}