汞基硫族化合物中的自旋织构与镜像陈数
介观与纳米尺度物理
2015-05-05 v3
摘要
拓扑绝缘体表面态的独特特征是所谓的“自旋 - 动量锁定”，即对于给定的动量，电子自旋沿固定方向取向并在动量空间中形成织构。在本工作中，基于第一性原理计算和八带 Kane 模型，我们研究了两种典型的汞基硫族化合物拓扑绝缘体（即 HgTe 和 HgS）的自旋织构。我们发现这两种材料的自旋织构具有相反的螺旋度，这源于自旋轨道耦合符号的相反。此外，我们揭示了 HgTe 和 HgS 之间不同的镜像陈数表征了具有相反自旋织构的系统的不同拓扑性质，并保证了无能隙界面态的存在。
引用
@article{arxiv.1404.7091,
title = {Spin Texture and Mirror Chern number in Hg-Based Chalcogenides},
author = {Qingze Wang and Shu-chun Wu and Claudia Felser and Binghai Yan and Chao-xing Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.7091},
year = {2015}
}